失效分析 ESD 和EOS 烧毁的区别

深入探讨：ESD与EOS的失效差异剖析

ESD：静电放电的神秘力量 ESD，即Electrical Static Discharge，是自然界中无处不在的电荷流动现象。当两个带有不同静电电位的物体接触时，瞬间释放的电流瞬间点燃了电子学的火花。尽管ESD看似平常，但它对集成电路却有着不可忽视的影响，尤其是在其敏感的端口区域，往往造成显著的损害。

EOS：电气过载的全面解读 与ESD不同，Electrical Over Stress (EOS)涵盖了范围广泛的电气过载情况，包括高电压、大电流和过功率等。EOS的典型场景中，电气故障可能源自瞬间的电压冲击或持续的过载，导致电子元件的物理损伤。

分析差异：细节决定成败 ESD的破坏往往集中在特定点，使用像光学显微镜、电子显微镜等精密工具能帮助我们揭示其影响的深度。相比之下，EOS的影响范围更广，如过功率烧毁会以一个初始点为中心，向外扩散出明显的裂纹，而过电压则多在有源区边缘，特别是电源引脚周围，造成独特的损伤模式。

在失效分析的舞台上，每一种情况都需要专业的分析手段和深入的理解，以便我们能准确地识别问题并采取相应的防护措施。无论是ESD还是EOS，它们都提醒我们，对电子设备的保护不容忽视。