MOCVD是一种新型的气相外延生长技术,它是基于气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的。
MOCVD技术使用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,通过热分解反应方式在衬底上进行气相外延,以生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及多元固溶体的薄层单晶材料。
与其他技术相比,MOCVD设备具有手动和微机自动控制操作两种功能,可以更加精准地控制晶体生长过程,提高生长效率和质量。这种技术在半导体领域有着广泛的应用,可以用于制造各种电子元器件和光电子器件,如LED、激光器等。
总之,MOCVD技术是一种重要的半导体制造技术,具有广阔的应用前景。