[汽车之家 行业] 近日，英飞凌宣布与中国的新能源汽车充电市场企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半导体器件，用于提升电动汽车充电站的效率。
SiC技术相比传统的硅技术可将电动汽车充电站的效率提高1%，从而降低了能耗和运营成本。以一座100 kW的充电站为例，这意味着节省1 kWh电能，每年节省270欧元成本，以及减少3.5吨碳排放。这将大幅推动SiC功率器件在电动汽车充电模块中的应用。
作为最早将沟槽栅技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的先进设计。这些器件具有高阈值电压，并简化了栅极驱动。CoolSiC MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及栅极电压跳变应力试验，并在上市后定期进行监控，以确保拥有最高栅极可靠性。
通过采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飞源的30 kW直流充电模块能够实现宽恒功率范围、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高保护性能以及高可靠性。这使其不仅能够满足大多数电动汽车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率。这有助于大幅降低能耗和碳排放，达到全球领先水平。（文/汽车之家 杨益春）
加载中
