极氪 800v 技术的研发难点是什么？

极氪 800V 技术的研发难点主要集中在多个方面：

首先是功率半导体的应用，SiC MOSFET 相对于硅基的 IGBT 在开关损耗和导通损耗等方面有显著优势，然而 SiC 半导体的成本较高，且技术成熟度和稳定性仍需提升。这给大规模量产和成本控制带来了挑战。

其次是电池管理系统的开发，要确保电池在 800V 高压下的安全、稳定运行，对电池的监测、均衡和保护等功能提出了更高的要求。需要更精确的算法和更强大的硬件支持，以满足这些需求。

另外，充电基础设施的适配也是难点之一。尽管 800V 系统充电速度快，但依赖于专用充电桩，这需要大规模建设和普及专用充电设施，涉及到了成本、场地和电网等多方面的问题。

还有，800V 系统对绝缘材料的要求也更高。要确保在高压下不发生漏电、短路等故障，绝缘材料的研发和选用需要更严格的标准和测试。

此外，驱动效率方面的优化也是研发的重点。虽然 800V 系统在某些工况下效率有所提升，但在高速段与 400V 系统相差不大。如何进一步优化系统，提高全工况下的驱动效率是研发人员需要解决的问题。

要解决这些难点，需要投入大量的研发资源，进行技术创新和优化。同时，加强产业链上下游的合作，共同推动 800V 技术的成熟和应用。